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电子元器件详细资料 » IC[28827] » NTMD6N03R2G
型号:NTMD6N03R2G类别:FET - 阵列制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C32 毫欧 @ 6A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs30nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds950pF @ 24V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装Digi-Reel®

供应商

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深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
深圳市金亿泰电子有限公司郑086-755-83252273
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